3月25日，由瑞波光電牽頭承擔的國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項“高功率密度905nm多結半導體激光芯片”項目啟動暨實施方案論證會在華南理工大學順利召開。

會議邀請到廣東省科技廳產(chǎn)學研結合處劉志輝副處長、廣州市科技局孟徽副局長，項目專家組華南師范大學/華南理工大學楊中民教授、中國科學院大學樊仲維教授、清華大學柳強教授、西南技術物理研究所余麗波研究員、杭州光學精密機械研究所張晶研究員、中國科學院物理研究所魏志義研究員、 華東師范大學曾和平教授、中國科學技術大學姜海峰研究員、中國科學院半導體研究所林學春研究員、東北師范大學王鵬飛教授、山西大學鄭耀輝教授、華南師范大學周桂耀教授，以及項目骨干約30人參加了本次會議。

項目負責人胡海博士從項目背景、研究內(nèi)容、實施方案、預期目標等方面進行了全面匯報，詳細闡述通過“外延設計-芯片-器件-驗證”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新，突破波長穩(wěn)定量產(chǎn)工藝難點，雜散光難題等技術瓶頸，研制功率大于120W、高功率密度、波長穩(wěn)定、高光束質量的905nm 半導體激光芯片, 為新型激光雷達和測距傳感應用提供核心器件。

專家組認真聽取項目負責人匯報、審閱實施方案，并進行質詢討論后，一致認為項目以創(chuàng)新的多隧道結技術實現(xiàn)器件性能的優(yōu)化、新穎的光束限制結構的技術路線具有顯著前瞻性、波長穩(wěn)定技術提升了測距能力降低了功耗，并建議項目組在實施過程中建立技術指標動態(tài)優(yōu)化機制與協(xié)同創(chuàng)新機制，強化多個應用場景落地，助力項目高效完成。胡海代表項目組表示將全面落實專家組建議，建立完善的項目管理與協(xié)調機制，把控細節(jié)，確保階段與總體目標的如期完成。

“高功率密度905nm多結半導體激光芯片” 項目于2024年12月立項，由深圳瑞波光電子有限公司承擔。“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項重點支持相關重要科學前沿或我國科學家取得原創(chuàng)突破，應用前景明確，有望產(chǎn)出具有變革性影響技術原型，對經(jīng)濟社會發(fā)展產(chǎn)生重大影響的前瞻性、原創(chuàng)性的基礎研究和前沿交叉研究。

來源：瑞波光電

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