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垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)的技術(shù)發(fā)展方向
材料來源:小小光08          

垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)憑借低功耗、高調(diào)制帶寬、小尺寸、良好的可擴展性以及與單片集成的兼容性,已成為先進集成光子器件與系統(tǒng)的核心平臺。近年來,隨著人工智能、大容量光通信、生物傳感等領(lǐng)域的快速發(fā)展,VCSEL的技術(shù)演進不斷突破邊界,其發(fā)展方向也逐漸聚焦于滿足更復雜場景的需求。

基于最新研究成果,從波長拓展、性能優(yōu)化、集成技術(shù)、新型結(jié)構(gòu)開發(fā)及應用驅(qū)動創(chuàng)新五個維度,剖析VCSEL的技術(shù)發(fā)展趨勢。

一、波長范圍的突破:從長波拓展到紫外覆蓋

VCSEL的波長覆蓋范圍是決定其應用場景的關(guān)鍵因素。當前主流的GaAs基VCSEL主要集中在850-980nm波段,已廣泛應用于數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)和3D傳感,但在長波長(1.3-2.3μm)和紫外(<400nm)波段仍存在技術(shù)瓶頸,這也是未來發(fā)展的核心方向之一。

在長波長領(lǐng)域,1.3μm和1550nm波段的VCSEL對硅光子學集成、長距離數(shù)據(jù)通信和氣體傳感至關(guān)重要。傳統(tǒng)InP基VCSEL因異質(zhì)外延分布式布拉格反射鏡(DBR)的晶格失配問題,難以實現(xiàn)高性能器件。最新研究通過光子納米結(jié)構(gòu)設計,如電化學多孔化形成的納米多孔InP層,構(gòu)建了高折射率對比度(近1.0)的同質(zhì)外延DBR,成功實現(xiàn)了1380nm和1550nm波長的VCSEL,為硅光子學集成提供了理想光源。未來需進一步降低成本、提升量產(chǎn)能力,推動其在長途通信和量子技術(shù)中的應用。

紫外VCSEL則在消毒、ytterbium離子原子鐘、3D激光納米打印等領(lǐng)域具有不可替代的潛力。目前,光泵浦的紫外B(280-320nm)和紫外C(200-280nm)VCSEL已被實現(xiàn),但電泵浦器件仍面臨三大挑戰(zhàn):紫外波段高增益有源層生長、低損耗微腔制備以及高效電流注入機制。解決這些問題需要突破材料生長技術(shù)(如AlGaN外延質(zhì)量提升)和器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新(如新型DBR設計),未來5-10年有望實現(xiàn)電泵浦紫外VCSEL的實用化。

二、性能指標的極致追求:帶寬、效率與穩(wěn)定性的全面提升

VCSEL的性能優(yōu)化始終圍繞調(diào)制帶寬、功率轉(zhuǎn)換效率和溫度穩(wěn)定性三大核心指標展開,以滿足高速數(shù)據(jù)傳輸、低功耗設備和極端環(huán)境應用的需求。

調(diào)制帶寬方面,當前VCSEL的調(diào)制速率已達45GHz,通過多橫向耦合腔(MTCC)結(jié)構(gòu)設計,理論上可突破100GHz。關(guān)鍵技術(shù)包括:增加量子阱應變以提高微分增益、減小光子壽命和有源區(qū)體積、降低寄生電容。例如,采用中心腔耦合的MTCC結(jié)構(gòu),通過慢光光學反饋延長調(diào)制帶寬,為超高速光通信(如1.6Tb/s短距離傳輸)奠定基礎。未來需進一步優(yōu)化 epitaxial結(jié)構(gòu)和工藝,推動帶寬向100GHz以上邁進。

功率轉(zhuǎn)換效率是低功耗應用的核心。15結(jié)VCSEL已實現(xiàn)74%的功率轉(zhuǎn)換效率,單模輸出功率達28.4mW,為LiDAR等大功率場景提供了可能。通過引入抗反射光 reservoir結(jié)構(gòu),可有效降低多結(jié)VCSEL的光束發(fā)散角(至8.0°),提升能量利用率。同時,低能耗特性(如<100fJ/bit的能量-數(shù)據(jù)比)使其在AI計算中心等場景中具備顯著優(yōu)勢,未來需在保持高效率的同時,進一步提升輸出功率穩(wěn)定性。

溫度穩(wěn)定性方面,VCSEL的發(fā)射波長隨溫度變化極小,且單縱模工作特性使其在寬溫域(如-40℃至100℃)下表現(xiàn)優(yōu)異。相比邊發(fā)射激光器(EEL),VCSEL的閾值電流溫度敏感性更低,這使其在汽車LiDAR、工業(yè)傳感等高溫環(huán)境中更可靠。未來通過優(yōu)化氧化層設計和熱管理結(jié)構(gòu),可進一步拓寬其穩(wěn)定工作的溫度范圍,滿足更極端場景的需求。

三、集成技術(shù)的深化:從單器件到多功能系統(tǒng)

VCSEL的核心優(yōu)勢在于其與微納光學結(jié)構(gòu)的高度集成能力,未來集成技術(shù)將向“多功能化、高密度化、3D堆疊”方向發(fā)展,推動集成光子系統(tǒng)的性能躍升。

超表面集成是實現(xiàn)多功能調(diào)控的關(guān)鍵。超表面由二維納米天線陣列構(gòu)成,可同時操控光的相位、偏振和振幅,與VCSEL結(jié)合后,能實現(xiàn)渦旋光束發(fā)射、全息成像、偏振控制等復雜功能。例如,在VCSEL表面集成螺旋相位板(SPP),可生成拓撲荷l=15的渦旋光束,突破傳統(tǒng)器件的空間帶寬限制;通過瓊斯矩陣超表面,可實現(xiàn)圓偏振分束和雙通道全息投影,顯著提升光通信的信息容量。未來需解決超表面的大規(guī)模量產(chǎn)問題,開發(fā)兼容CMOS工藝的制造技術(shù),降低集成成本。

3D垂直堆疊集成是提升系統(tǒng)密度的核心路徑。VCSEL的垂直出光特性使其天然適合3D堆疊,通過與微透鏡、衍射光學元件(DOE)、光探測器等的單片集成,可構(gòu)建超緊湊系統(tǒng)。例如,集成VCSEL、PIN探測器和濾波器的生物傳感器,尺寸僅為100μm級,實現(xiàn)了蛋白質(zhì)的高靈敏度檢測(尿樣檢測限0.023g/L)。未來需突破層間光學串擾和熱管理難題,推動多芯片異質(zhì)集成,為便攜式醫(yī)療設備、可穿戴傳感器提供核心硬件。

相干陣列集成是滿足大規(guī)模并行應用的基礎?蓪ぶ返2D相干VCSEL陣列已被用于光子神經(jīng)網(wǎng)絡,通過光學注入鎖相實現(xiàn)相位控制,完成矩陣乘法等運算,算力達6TeraOP/(mm²·s)。未來需開發(fā)更大規(guī)模(如100×100)的相干陣列,解決尋址電路設計(如背發(fā)射VCSEL倒裝焊技術(shù))和散熱問題(如微流道冷卻),為光計算、大規(guī)模光互聯(lián)提供支撐。

四、新型結(jié)構(gòu)與材料的創(chuàng)新:拓展功能邊界

新型結(jié)構(gòu)設計和材料體系的引入,是VCSEL突破性能極限、拓展功能的關(guān)鍵,近年來在多結(jié)結(jié)構(gòu)、鈣鈦礦材料、拓撲絕緣體等領(lǐng)域取得了突破性進展。

多結(jié)VCSEL通過堆疊多個有源區(qū),大幅提升輸出功率和效率。15結(jié)VCSEL的功率轉(zhuǎn)換效率達74%,且通過抗反射結(jié)構(gòu)設計,解決了多結(jié)器件光束發(fā)散問題,使其在LiDAR、固態(tài)照明等領(lǐng)域極具競爭力。未來可探索更多結(jié)數(shù)(如20結(jié)以上)的設計,同時優(yōu)化隧道結(jié)性能,降低串聯(lián)電阻。

鈣鈦礦材料為低成本VCSEL提供了新路徑。鈣鈦礦量子點具有溶液可加工性和寬波段可調(diào)諧特性,基于CsPbBr3的鈣鈦礦VCSEL已實現(xiàn)低閾值激射。但電泵浦器件仍面臨DBR單晶外延和電流注入難題,未來需開發(fā)兼容鈣鈦礦的DBR結(jié)構(gòu)(如氧化物/半導體混合DBR),推動其在可見光通信、低成本傳感中的應用。

拓撲絕緣體VCSEL陣列則為高相干性光源提供了新方案。拓撲保護特性使其具備抗缺陷干擾能力,光學泵浦的拓撲絕緣體VCSEL陣列已實現(xiàn)高光譜均勻性,在量子通信、精密測量中前景廣闊。目前電泵浦器件仍處于起步階段,需設計同時滿足載流子注入和模式限制的拓撲結(jié)構(gòu),突破室溫穩(wěn)定工作的瓶頸。

五、應用驅(qū)動的技術(shù)迭代:聚焦核心場景需求

VCSEL的技術(shù)發(fā)展始終由應用需求牽引,在人工智能、光通信、生物傳感等核心領(lǐng)域,其技術(shù)演進呈現(xiàn)出鮮明的場景定制化特征。

在人工智能領(lǐng)域,VCSEL-based光子神經(jīng)網(wǎng)絡(PNN)是突破馮·諾依曼架構(gòu)算力瓶頸的關(guān)鍵;5×5相干VCSEL陣列的深度神經(jīng)網(wǎng)絡,實現(xiàn)了93.1%的手寫數(shù)字識別準確率,能耗僅7fJ/OP,較電子硬件提升20倍。未來需開發(fā)大規(guī)模相干陣列(如1000×1000)和高速調(diào)制技術(shù),支撐百億參數(shù)級光計算模型,滿足大模型訓練需求。

在大容量光通信領(lǐng)域,渦旋光束復用是提升帶寬的重要方向。VCSEL集成超表面可生成多通道渦旋光束(l=15),結(jié)合其11GHz的調(diào)制帶寬,有望實現(xiàn)Tb級單纖傳輸。需解決渦旋光束在光纖中傳輸?shù)哪J交儐栴},推動其在數(shù)據(jù)中心、城域網(wǎng)中的應用。

在生物與原子傳感領(lǐng)域,VCSEL的小型化和高穩(wěn)定性使其成為理想光源。集成VCSEL的生物傳感器實現(xiàn)了尿樣中蛋白質(zhì)的實時檢測,精度媲美臨床檢測設備;基于895nm VCSEL的微型原子鐘,體積僅15×15×13mm³,頻率穩(wěn)定性達2×10⁻¹¹/天,為導航、量子傳感提供了核心器件。未來需進一步提升靈敏度(如原子磁強計的30fT/Hz¹/²)和降低功耗,推動其在可穿戴醫(yī)療、自動駕駛中的普及。

總結(jié):

VCSEL作為集成光子學的核心平臺,其技術(shù)發(fā)展正朝著“全波段覆蓋、高性能極致、高密度集成、多功能拓展”的方向邁進。從長波長到紫外的波長突破,從百GHz帶到74%效率的性能躍升,從單器件到3D系統(tǒng)的集成深化,VCSEL正逐步解鎖在AI、光通信、傳感等領(lǐng)域的潛力。未來,隨著新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝的持續(xù)創(chuàng)新,VCSEL將成為推動下一代光電子系統(tǒng)向高效、緊湊、智能演進的核心引擎,為人類社會的技術(shù)變革提供堅實的硬件支撐。

參考資料:Pan et al. Light: Science & Applications (2024) 13:229 Harnessing the capabilities of VCSELs unlocking the potential for advanced integrated photonic devices and systems

轉(zhuǎn)自:小小光08

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