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近日,九峰山實驗室在磷化銦(InP)材料領(lǐng)域取得重要技術(shù)突破,成功開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結(jié)構(gòu)探測器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝,關(guān)鍵性能指標達到國際領(lǐng)先水平。這一成果也是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從核心裝備到關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化協(xié)同應(yīng)用,為光電子器件產(chǎn)業(yè)化發(fā)展提供重要支撐。
九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片 作為光通信、量子計算等領(lǐng)域的核心材料,磷化銦(InP)材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用長期面臨大尺寸制備的技術(shù)瓶頸,業(yè)界主流停留在3英寸工藝階段,高昂的成本使其無法滿足下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的爆發(fā)式增長。 九峰山實驗室依托國產(chǎn)MOCVD設(shè)備與InP襯底技術(shù),突破大尺寸外延均勻性控制難題,首次開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結(jié)構(gòu)探測器和FP結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝, 關(guān)鍵性能指標達到國際領(lǐng)先水平,為實現(xiàn)6英寸磷化銦(InP)光芯片的規(guī);苽浯蛳禄A(chǔ)。 材料性能: • FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標準差<1.5nm,組分與厚度均勻性<1.5% • PIN探測器材料本底濃度<4×10¹⁴cm⁻³,遷移率>11000 cm²/V·s
九峰山實驗室外延工藝團隊 在全球光電子產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的背景下,光通信、激光雷達、太赫茲通信等領(lǐng)域?qū)α谆煟↖nP)的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。據(jù)Yole預(yù)測,磷化銦(InP)光電子市場規(guī)模2027年將達56億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)達14%。6英寸磷化銦(InP)工藝的突破,有望推動國產(chǎn)光芯片成本降至3英寸工藝的60%-70%,有助于增強國產(chǎn)光芯片市場競爭力。 轉(zhuǎn)自:九峰山實驗室 注:文章版權(quán)歸原作者所有,本文內(nèi)容、圖片、視頻來自網(wǎng)絡(luò),僅供交流學(xué)習(xí)之用,如涉及版權(quán)等問題,請您告知,我們將及時處理。
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