3D封裝是在二維封裝基礎(chǔ)上向空間發(fā)展的高密度封裝技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)芯片堆疊或封裝堆疊的方式實(shí)現(xiàn)器件功能的增加，不僅能顯著提高封裝密度，還能有效降低封裝成本。在3D封裝制程中，Hybrid bonding混合鍵合技術(shù)中D2W或D2D工藝是其核心制程之一，該制程對(duì)前道切割段的精度要求、質(zhì)量要求以及particle管控更為嚴(yán)苛。相較于傳統(tǒng)封裝晶圓切割制程中Laser Grooving + Blade Saw方案，Laser Grooving + Plasma Dicing的組合切割方案憑借其優(yōu)異的切割質(zhì)量及particle管控等獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，在3D封裝領(lǐng)域日益受到重視與青睞，展現(xiàn)出了非凡的潛力，為3D封裝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

·  設(shè)備交付現(xiàn)場(chǎng)  ·

大族半導(dǎo)體憑借在激光微加工領(lǐng)域的深厚積淀與卓越洞見(jiàn)，自2018年起便在國(guó)內(nèi)率先進(jìn)行Low-K開(kāi)槽關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)并取得突破性成果。近期，我司隆重推出全新一代全自動(dòng)晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備—GV-N3242系列。該設(shè)備在開(kāi)槽質(zhì)量、開(kāi)槽精度、潔凈度管控以及材料兼容性方面的大幅躍升，已圓滿通過(guò)客戶嚴(yán)苛的技術(shù)驗(yàn)證，并完全具備量產(chǎn)能力，贏得了客戶的一致好評(píng)與廣泛認(rèn)可。

全自動(dòng)晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備

型號(hào)：GV-N3242

01 應(yīng)用領(lǐng)域

用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域，在晶圓表層開(kāi)槽，輔助Plasma etch切割制程。

02 設(shè)備優(yōu)勢(shì)

✦ 超快激光器(紫皮/紫飛)+新型光路整形方案，進(jìn)一步提升開(kāi)槽品質(zhì)；超高精度機(jī)械/氣浮平臺(tái)，進(jìn)一步提升開(kāi)槽精度;

✦ 升級(jí)視覺(jué)方案，配備超高倍鏡頭(>20x)以及紅外相機(jī)(選配)，提升視覺(jué)識(shí)別精度，實(shí)現(xiàn)晶圓背面開(kāi)槽方案;

✦ 整機(jī)壓差、對(duì)流以及涂膠清洗腔體設(shè)計(jì)升級(jí)，可滿足百級(jí)潔凈度要求，可支持裸晶圓/Frame全自動(dòng)天車上下料兼容模式。

03 主要參數(shù)

04 開(kāi)槽效果

大族半導(dǎo)體全自動(dòng)晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備GV-N3242的成功推出，以高精度、高效率的特點(diǎn)，為半導(dǎo)體制造業(yè)提供了更為先進(jìn)、可靠的解決方案，標(biāo)志著我司在激光切割應(yīng)用領(lǐng)域的深度探索與創(chuàng)新又前進(jìn)了堅(jiān)實(shí)的一步。展望未來(lái)，大族半導(dǎo)體將持續(xù)在激光切割應(yīng)用領(lǐng)域深耕細(xì)作，為半導(dǎo)體制造業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)不斷向前邁進(jìn)。

來(lái)源：大族半導(dǎo)體

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